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Atotech: 新的QFN封装浸锡工艺

2013-12-05

Atotech推出Stanna-Q新工艺,用于QFN(无铅扁平元件)边垫的浸锡处理。Stanna-Q工艺通过浸锡QFN封装两边外露的铜引线框架焊盘,以便在组装过程中形成焊点圆角。Stanna-Q适用于单个QFN浸锡。它甚至在老化测试之后也拥有良好的可焊性,浸锡厚度相当高(>1.4μm)。

Stanna-Q工艺为单个QFN封装创建可焊的侧边形成三维焊点。通过形成三维焊点圆角,焊点可靠性提高,抗腐蚀能力改善,从而避免了铜焊盘外露。避免铜焊盘外露也就减少了自动光学检测(AOI)过程中所谓的虚焊缺陷。

没用Stanna-Q时:两边焊盘上没有覆盖焊料。

用了Stanna-Q后:焊料覆盖在两边焊盘上。图片来源:德国Micronas公司。

Atotech在全球拥有超过70%的市场份额,是市场领先的PCB浸锡工艺商提供之一。新的Stanna-Q工艺,应用在新的QFN封装产品领域,进一步完善了Atotech的浸锡工艺系列。封装制造商也将受益于Atotech丰富的铜焊盘浸锡沉积经验。Stanna-Q工艺目前正准备推向全球市场。(Shirley 编译)


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