铟泰科技 (Indium Corporation) 近期于国际半导体展展出运用新助焊剂技术的超低残留 (Ultra-Low Residue, ULR) 与近乎零残留 (Near-Zero Residue, NZR) 免洗覆晶助焊剂产品系列，可解决清洗助焊剂残留物的费用问题，并防止在水洗制程中所产生的压力对晶片造成损坏。

据悉，NC-26-A覆晶助焊剂一般用于行动装置的覆晶封装制程；NC-26S覆晶助焊剂专为较大及细间距晶片(≤60微米)所设计；至于NC-699覆晶助焊剂相较于市面上其它覆晶制程助焊剂，拥有较少的残留物。

铟泰科技展出的ULR/NZR免洗覆晶助焊剂，可提升焊接制程的控制，避免锡桥与冷焊点等主要焊接问题的产生。此项助焊剂技术亦能维持回焊后凸点高度，减少在水洗制程中造成UBM/凸块破裂，并提升毛细型底部填充胶(CUF)和成型底部填充胶(MUF)的相容性。

NC-26-A是专门为覆晶沾浸应用所设计的助焊剂，其粘黏性可适用大量回焊封装制程。欲瞭解更多关于NC-26-A的详细资讯，请浏览铟泰科技网站。

免水洗助焊剂助攻，突破先进封装制程瓶颈

移动设备浪潮来袭、物联网风潮正在酝酿，半导体芯片也愈趋走向微型化，使得覆晶技术逐渐受到重视，覆晶封装也持续往高脚数、细间距演进，但在这样的演进过程中，间隙可能窄到连水分子都难以进入，也就难以透过传统水洗方式去除焊接程序中产生的助焊剂残留，免水洗助焊剂因此因运而生，业者强调已可做到小于 1% 的近乎零残留，当 IC 设计、封装技术在演进的同时，半导体材料也在加速发展。

在传统封装过程中，需要透过助焊剂辅助焊接以确保芯片的稳定，但助焊剂会产生氧化物等残留，就得再加上水洗的程序去除残留物，但当芯片设计愈加轻薄短小，传统水洗技术也出现了瓶颈，免水洗助焊剂因此日渐受到重视。

拥有 80 年历史的先进材料供应商铟泰科技（Indium Corporation）于此次 SEMICON Taiwan 2015 国际半导体展就展出了低残留免洗覆晶助焊剂产品系列。

铟泰科技台湾区技术经理周胜鸿表示，免水洗的关键就在于助焊剂在加热过程中就大致挥发，配方决定了材料特性，而这也是各家 Know How 所在。

另一位台湾区销售经理范皓为指出，铟泰的助焊剂目前已可做到超低残留（ULR; Ultra-Low Residue）甚至近乎零残留（NZR; Near-Zero Residue），如NC-699覆晶助焊剂已可做到残留物<1%，相较于市面上其它覆晶制程助焊剂，拥有最少的残留物。而NC-26-A一般用于移动设备的覆晶封装制程；NC-26S覆晶助焊剂则专为较大及细间距芯片（≤ 60微米）所设计。

铟泰科技表示，公司生产的助焊剂可提升焊接制程的控制，避免锡桥与冷焊点等主要焊接问题的产生。台湾区技术经理周胜鸿强调，免洗覆晶助焊剂能防止在水洗制程中所产生的压力造成UBM/凸块破裂对芯片造成损坏，对于封装厂商而言，少了水洗一道工序，也就省去了水洗机台摆放空间，进而可提升产能空间利用，也减少了水洗产生的废水排放。

范皓为表示，目前台湾较大型封装厂商已经开始在制程上运用免洗覆晶助焊剂，有客户已进行量产。