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SiC功率模块绝缘失效根因分析

2024-07-22

背景介绍

某SiC 器件在HV-H3TRB 测试时出现绝缘失效。

失效分析手段

以下为Zestron R&S分析结果节选

光学显微镜下的失效图片

IMG_260

图1:开封后的SiC 器件

IMG_261

图2:失效区域局部放大图

C3局部离子污染测试结果

IMG_262

图3:NG批次的离子污染检测结果

IMG_263

图4:OK批次的离子污染检测结果

IC离子色谱测试结果

NG批次和OK批次样品测试结果对比表

IMG_264

分析结论

通过ZESTRON R&S开展的综合分析和累积多年的成功经验,确认NG批次样品在封装前存在较高水平的污染,降低了环氧树脂模封与基板/芯片之间的结合;在HV-H3TRB测试条件下, 当潮湿充分渗透模封料之后,离子型污染物在模封结合薄弱区域形成漏电通路,在高压条件下发生击穿导致绝缘失效。

【本文转自ZESTRON,转载仅供学习交流。】


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